샤프가 반도체 에너지 연구소와 공동 개발에 의한 산화물 반도체를 써 만든 초고해상도 패널의 샘플을 공개
이번에 발표한 것은 2560x1600 해상도 6.1인치 패널(498dpi), 720x1280 해상도 4.9인치 패널(302dpi), 3840x2160 해상도 15.3인치 OLED(326dpi), 540x960 해상도 3.4인치 플렉시블 OLED(326dpi)
이 IGZO라는 산화물 반도체는 아포머스 실리콘과 비교해 전자가 20~50배 잘 이동하기 때문에 TFT의 소형화/배선의 소형화가 가능해지면서 같은 투과율에서 2배로 높은 해상도를 구현 가능.
그리고 전원 차단 성능이 아포머스 실리콘보다 100배, 저온 폴리 실리콘보다 1000배 높습니다. 이걸로 1 프레임을 표시한 후 화면 변화가 없으면 작동을 중지할 수 있습니다. 이걸로 소비 전력도 크게 줄어듬.
또한 터치패널에서 패널을 항상 작동하면서 생기는 노이즈를 줄여 터치 정밀도를 높일 수 있습니다. 터치패널의 신호 대 잡음비가 기존의 5배에 달한다고 함.
그리고 아포머스 실리콘과 똑같은 공정으로 만들 수 있습니다. 그리고 아포머스 실리콘이 10세대 유리를 써야 하지만 IGZO는 8세대면 되니까 더 저렴하게 만들 수 있음.
이번에 쓴 기술은 2009년에 발표한 결정 구조를 쓴 것으로, CAAC(C-Axis Aligned Crystal)라 부릅니다. C축 방향에서 6각형, C축 수직 방향에선 층 형태입니다. CAAC IGZO로 500dpi가 넘는 고해상도나 제조 공정의 간소화가 가능.
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